שובר שיוויון? סין פיתחה טרנזיסטור דו-מימדי יעיל ומהיר יותר מטרנזיסטור סיליקון

##הישג חדש במחקר הסמיקונדקטורים

במחקר שפורסם בכתב העת Nature, צוות חוקרים מאוניברסיטת פקינג בסין מדווח על פיתוחם של טרנזיסטור דו-מימדי חדש שמיועד להחליף את הטרנזיסטורים המסורתיים מבוססי סיליקון, ותומך ביצירת מעבדים מהירים וחסכוניים יותר.

יתרונות הטרנזיסטור החדשה

הטרנזיסטור החדש מבוסס על תרכובת של חמצן, ביסמוט וסלניום, וחומר זה מתאפיין בניידות אלקטרונים גבוהה, מה שמאפשר שימוש במתח נמוך. החוקרים טוענים כי מעבדים המבוססים על הטרנזיסטורים החדשים יהיו מהירים ב-40% יותר ממעבדים המיוצרים על ידי TSMC ואינטל בגיאומטריה של 3 ננומטר, תוך שמירה על צריכת אנרגיה נמוכה יותר של כ-10%.

לראשונה, הטרנזיסטור הודגם ברמת פרוסה מלאה, ולא בדוגמית מעבדה, מה שמעיד על הפוטנציאל ליישום רחב יותר בשוק.

השפעת הסנקציות האמריקאיות

החוקרים מציינים כי אחת הסיבות להצלחה זו היא הקושי של סין לקבל טכנולוגיות מתקדמות עקב הסנקציות האמריקאיות. האילוצים הללו דחפו את סין לחקור שיטות חלופיות לייצור שבבים, מה שעלול להוביל לחדשנות משמעותית בתחום הסמיקונדקטורים.

מה זה GAA-FET?

הטכנולוגיה שהוצגה במחקר היא Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAA-FET), שבה השער מקיף את הערוץ מכל עבריו, מה שיכול לשפר את היעילות החשמלית של הטרנזיסטור.

פוטנציאל עתידי בתעשיית השבבים

שימוש בחומרים דו-מימדיים בתעשיית השבבים מקנה יתרונות לא רק ביעילות ובמהירות, אלא גם מסייע בשמירה על חוק מור, מה שמאפשר ייצור גיאומטריות מתחת ל-1 ננומטר. השילוב של טכנולוגיות חדשות אלו עשוי לשנות את פני התעשייה ולהוביל למהפכה בתחום המעבדים בשנים הקרובות.

המאמר מצביע על קדמה טכנולוגית אפשרית בסין, שביכולתה לשבור את המוסדות הקיימים בתעשייה בשעה שהמדינה מתמודדת עם אתגרים לא פשוטים